⏱ 2 min de citit
Samsung Electronics a prezentat marți, la conferința „Future of Memory and Storage” (FMS) din Santa Clara, California, o nouă generație de tehnologie de memorii destinată inteligenței artificiale, a anunțat compania sud-coreeană, scrie Reuters.
Samsung a prezentat prototipul V10 Bonding V-NAND, denumit BV-NAND, cu peste 400 de straturi și o arhitectură nouă de lipire a plăcilor (wafer-bonding), menită să crească densitatea de stocare și performanța cipului, a precizat compania.
Samsung a comunicat că tehnologia BV-NAND crește densitatea memoriei cu aproximativ 58% față de versiunea anterioară V9 NAND, îmbunătățind performanțele de citire, scriere și intrare/ieșire.
Compania a prezentat, de asemenea, modele conceptuale ale arhitecturii zHBM și zNAND-O, descrise ca fiind primele de acest tip din industrie, pentru memoria 3D de nouă generație, care stivuiește celulele de memorie pe verticală.
Samsung a precizat că tehnologia zHBM stochează memoria pe verticală deasupra acceleratoarelor de inteligență artificială, spre deosebire de memoria convențională cu lățime mare de bandă amplasată alături de cipurile AI, pentru a reduce distanța parcursă de date.
Compania a declarat că tehnologia sa de lipire a plăcilor de siliciu ar putea permite o densitate a memoriei de peste 10 ori mai mare decât cea a memoriei convenționale HBM5, triplând eficiența energetică și reducând rezistența termică cu mai mult de jumătate.
Samsung a dezvăluit săptămâna precedentă că acordurile pe termen lung cu clienții ar putea reprezenta între 60% și 70% din vânzările sale de cipuri de memorie.
Analiștii de la Citi au precizat, într-o notă publicată luna trecută, că stocurile din lanțurile de aprovizionare pentru memoriile DRAM și NAND au rămas sub nivelurile istorice.
Sursă: HotNews.ro
Acest articol a fost creat cu asistența inteligenței artificiale și verificat editorial de Redactia.
